berita perusahaan tentang Terobosan dan Tantangan Litografi UV dalam Manufaktur Semikonduktor

Terobosan dan Tantangan Litografi UV dalam Manufaktur Semikonduktor

Dengan kemajuan teknologi sirkuit terintegrasi yang terus-menerus, mengejar dimensi yang lebih kecil dan resolusi yang sangat tinggi menjadi semakin mendesak.Teknik fotolitografi tradisional telah berjuang untuk memenuhi tantangan miniaturisasi yang semakin menuntutUntuk mengatasi tantangan ini, litografi UV 172nm telah muncul sebagai teknologi yang menjanjikan karena resolusi ultra-tinggi.Teknologi ini menggabungkan keuntungan ganda dari paparan ganda dan topeng canggih, membawa solusi baru untuk desain sirkuit terpadu dan membantu bergerak menuju era baru resolusi ultra tinggi.

Litografi ultraviolet, langkah kunci dalam pembuatan semikonduktor, bergantung pada penggunaan sinar ultraviolet untuk dengan tepat memproyeksikan pola sirkuit pada photoresist,yang kemudian menciptakan pola yang diinginkan melalui reaksi kimiaDengan meningkatnya tantangan miniaturisasi, teknologi litografi 248nm dan 193nm tradisional menjadi semakin tidak memadai.dengan panjang gelombang yang lebih pendek dan hasil resolusi yang sangat tinggi, telah menjadi alternatif yang ideal untuk teknologi litografi ultraviolet ekstrim (EUV) saat ini. panjang gelombang ultraviolet 172nm memungkinkan detail pola yang lebih halus dan pengurangan lebih lanjut dalam ukuran node,sehingga secara signifikan mempromosikan kemajuan teknologi manufaktur semikonduktor. Teknologi litografi 172nm memanfaatkan panjang gelombang yang lebih pendek untuk mencapai detail pola yang lebih halus, mendorong kemajuan teknologi.

Teknologi multi-eksposisi, pendekatan kunci untuk mengatasi kemacetan resolusi dalam fotolitografi, bergantung pada pola berulang dari area yang sama melalui beberapa eksposur,sehingga meningkatkan baik resolusi dan akurasi polaDalam bidang litografi UV 172nm, teknologi multi-eksposur dapat diimplementasikan melalui metode berikut.

Multi-patterning meningkatkan resolusi dengan melakukan multiple pass.
Fitur Bantuan Resolusi Sub (SRAF): Fitur Bantuan Resolusi Sub membagi pola desain secara halus menjadi beberapa zona paparan.Mereka secara efektif mengatasi distorsi pola yang disebabkan oleh efek optikMetode ini memastikan pola yang jelas dan konsisten setelah setiap paparan.

Phase Shift Mask (PSM): Dengan menyesuaikan fase masker dengan tepat, gelombang depan cahaya yang diproyeksikan berubah, sehingga meningkatkan resolusi dan mengurangi efek difraksi.Selama proses multi-pola, PSM secara signifikan mengurangi penyimpangan pola yang disebabkan oleh koherensi gelombang cahaya.Pola yang kompleks terurai menjadi dua komponen independen dan diselesaikan melalui dua paparan pada waktu yang berbeda. Pola ganda secara signifikan meningkatkan akurasi pola sambil meringankan kendala pada resolusi litografi.

Namun, kombinasi teknologi ini juga menghadapi sejumlah tantangan.
Pengenalan teknologi multi-patterning tidak diragukan lagi meningkatkan kompleksitas produksi, membutuhkan kontrol yang tepat dari setiap langkah, termasuk photoresist, topeng, dan sumber cahaya.Teknologi topeng canggih juga relatif mahal untuk diproduksi, yang membutuhkan peralatan manufaktur topeng yang sangat canggih dan dukungan teknis, yang tidak diragukan lagi meningkatkan biaya produksi secara keseluruhan.
Singkatnya, integrasi litografi UV 172nm dengan pola ganda dan teknologi topeng canggih telah membawa terobosan dalam resolusi ultra-tinggi dalam manufaktur semikonduktor.Kombinasi inovatif ini tidak hanya memastikan pola halus dan resolusi, tetapi juga meningkatkan kinerja dan stabilitas keseluruhan sirkuit terintegrasi.kami memiliki alasan untuk percaya bahwa penerapan teknologi mutakhir ini akan mendorong industri semikonduktor ke arah dimensi yang lebih kecil dan kepadatan integrasi yang lebih tinggi.